GB35XF120K

GB35XF120K - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
GB35XF120K
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3545 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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GB35XF120K Description détaillée

Numéro d'article GB35XF120K
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ECONO2
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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