1N4150TAP - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	1N4150TAP
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	50V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1V @ 200mA
скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Время обратного восстановления (trr)	4ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет устройств поставщика	DO-35
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	подробности
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	подробности
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	подробности
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	подробности
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности