1N4150TAP - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	1N4150TAP
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Courant - Rectifié moyen (Io)	150mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 200mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-204AH, DO-35, Axial
Package de périphérique fournisseur	DO-35
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Détails
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Détails
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	Détails
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	Détails
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Détails
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Détails