| номер части | JANTXV4N22 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение - изоляция | 1000VDC |
| Коэффициент передачи в реальном времени (мин.) | 25% @ 10mA |
| Коэффициент передачи тока (макс.) | - |
| Время включения / выключения (Тип) | - |
| Время нарастания / падения (Тип) | 20µs, 20µs (Max) |
| Тип ввода | DC |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Напряжение - выход (макс.) | 40V |
| Текущий - выход / канал | 50mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | 1.5V (Max) |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Vce Saturation (Макс.) | 300mV |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-78-6 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-78-6 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
