| Número de pieza | JANTXV4N22 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| número de canales | 1 |
| Voltaje - Aislamiento | 1000VDC |
| Ratio de transferencia actual (Min) | 25% @ 10mA |
| Ratio de transferencia actual (máximo) | - |
| Tiempo de encendido / apagado (Tipo) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 20µs, 20µs (Max) |
| Tipo de entrada | DC |
| Tipo de salida | Transistor with Base |
| Voltaje - Salida (Máx) | 40V |
| Corriente - Salida / Canal | 50mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.5V (Max) |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Saturación de Vce (Máx) | 300mV |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-78-6 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-78-6 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
