TPN4R712MD,L1Q Подробное описание
| номер части |
TPN4R712MD,L1Q |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
P-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
36A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
65nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
4300pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) |
±12V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
42W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Рабочая Температура |
150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол |
8-PowerVDFN |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPN4R712MD,L1Q
