TPN4R712MD,L1Q Description détaillée
Numéro d'article |
TPN4R712MD,L1Q |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
P-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
36A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
65nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
4300pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
42W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V |
Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paquet / cas |
8-PowerVDFN |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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