TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TPN1R603PL,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TPN1R603PL,L1Q Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
49172 pcs
Справочная цена
USD 0.5501/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q Подробное описание

номер части TPN1R603PL,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 10V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 41nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3900pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPN1R603PL,L1Q