| 品番 | TPN1R603PL,L1Q |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 10V @ 10µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 41nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 詳細 |
