TPH2R306NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TPH2R306NH,L1Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	72nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6100pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол	8-PowerVDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPH2R306NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV	подробности
TPH2R506PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	подробности
TPH2R608NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 75V 150A SOP8	подробности