TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TPH2R306NH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
20646 pcs
参考価格
USD 1.3013/pcs
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TPH2R306NH,L1Q 詳細な説明

品番 TPH2R306NH,L1Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6100pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
重量 -
原産国 -

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