TK9P65W,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK9P65W,RQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	80W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 4.6A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK9P65W,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK	подробности