TK9P65W,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	TK9P65W,RQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 4.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-