TK35A08N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK35A08N1,S4X
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1700pF @ 40V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	30W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK35A08N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 35A TO-220	подробности
TK35A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 35A TO-220	подробности
TK35A65W5,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS	подробности