TK13E25D,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK13E25D,S1X(S
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1100pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	102W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK13E25D,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB	подробности