TK13E25D,S1X(S

TK13E25D,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK13E25D,S1X(S
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12670 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.035/pcs
Notre prix
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TK13E25D,S1X(S Description détaillée

Numéro d'article TK13E25D,S1X(S
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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