TK13E25D,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK13E25D,S1X(S
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-