| номер части | TK10V60W,LVQ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.7A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | Super Junction |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 88.3W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (8x8) |
| Упаковка / чехол | 4-VSFN Exposed Pad |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
TK1005800000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB | подробности |
 |
TK100A06N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | подробности |
|
TK100A08N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS | подробности |
|
TK100A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | подробности |
 |
TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 | подробности |
|
TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | подробности |
|
TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | подробности |
 |
TK100L60W,VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) | подробности |
 |
TK100S04N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | подробности |
 |
TK10200MTL | TOTK | TK10200MTL TOTK SOP/8 New Original Stocks | подробности |
