TK100L60W,VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK100L60W,VQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	360nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	15000pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	797W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-3P(L)
Упаковка / чехол	TO-3PL
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK1005800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB	подробности
TK100A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220	подробности
TK100A08N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS	подробности
TK100A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO-220	подробности
TK100E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 100A TO-220	подробности
TK100E08N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 100A TO220	подробности
TK100E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO220	подробности
TK100L60W,VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)	подробности
TK100S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK	подробности
TK10200MTL	TOTK	TK10200MTL TOTK SOP/8 New Original Stocks	подробности