TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TC58NYG0S3HBAI6
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TC58NYG0S3HBAI6 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3576 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6 Подробное описание

номер части TC58NYG0S3HBAI6
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти EEPROM
Технологии EEPROM - NAND
Размер памяти 1Gb (128M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 25ns
Время доступа 25ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 67-VFBGA
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TC58NYG0S3HBAI6