T2N7002BK,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	T2N7002BK,LM
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	400mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	40pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	320mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	T2N7002AK,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 0.2A	подробности
	T2N7002BK,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23	подробности