T2N7002BK,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	T2N7002BK,LM
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	400mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	T2N7002AK,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 0.2A	Detalles
	T2N7002BK,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23	Detalles