| номер части | RN2910(T5L,F,T) |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 50V |
| Резистор - основание (R1) (Ом) | 4.7k |
| Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) | - |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Частота - переход | 200MHz |
| Мощность - макс. | 200mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | подробности |
 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
|
RN2910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
|
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | подробности |
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | подробности |
 |
RN2911FE | TOSHIBA | RN2911FE TOSHIBA SOT363 New Original Stocks | подробности |
|
RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
