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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드 › RN2910(T5L,F,T)
RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
RN2910(T5L,F,T)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4400 pcs
참고 가격
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RN2910(T5L,F,T) 상세 설명

부품 번호 RN2910(T5L,F,T)
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 4.7k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 200MHz
전력 - 최대 200mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 US6
무게 -
원산지 -

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