RN1427TE85LF

RN1427TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
RN1427TE85LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RN1427TE85LF Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
240284 pcs
Справочная цена
USD 0.1109/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RN1427TE85LF

RN1427TE85LF Подробное описание

номер части RN1427TE85LF
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 800mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 300MHz
Мощность - макс. 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика S-Mini
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RN1427TE85LF