HN1C03F-B(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	HN1C03F-B(TE85L,F)
Статус детали	Active
Тип транзистора	2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	300mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	20V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	350 @ 4mA, 2V
Мощность - макс.	300mW
Частота - переход	30MHz
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-74, SOT-457
Пакет устройств поставщика	SM6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
HN1C03F	TOSHIBA	HN1C03F TOSHIBA SOT-16.. New Original Stocks	подробности
HN1C03F-B	TOSHIBA	HN1C03F-B TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	подробности
HN1C03F-B(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6	подробности
HN1C03FU	TOSHIBA	HN1C03FU TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	подробности
HN1C03FU-A(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 20V 0.3A US6	подробности
HN1C03FU-B	TOSHIBA	HN1C03FU-B TOSHIBA SOT-23.. New Original Stocks	подробности