HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN1C03F-B(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
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1 Day
Code de date
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3916 pcs
Prix ​​de référence
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HN1C03F-B(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article HN1C03F-B(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
Puissance - Max 300mW
Fréquence - Transition 30MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur SM6
Poids -
Pays d'origine -

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