TH58NYG2S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

номер части	TH58NYG2S3HBAI4
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти	4Gb (512M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	63-BGA
Пакет устройств поставщика	63-BGA (9x11)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TH58NVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR	подробности
TH58NVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58NVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58NVG3S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V	подробности
TH58NVG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V	подробности
TH58NVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58NVG3S0HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58NVG4D4CTG00	TOSHIBA	TH58NVG4D4CTG00 TOSHIBA TSSOP New Original Stocks	подробности
TH58NVG4S0FTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58NVG4S0HTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE	подробности