TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

номер части
TH58NYG2S3HBAI4
производитель
Toshiba Memory America, Inc.
Краткое описание
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TH58NYG2S3HBAI4 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
23620 pcs
Справочная цена
USD 7.75/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4 Подробное описание

номер части TH58NYG2S3HBAI4
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 25ns
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 63-BGA
Пакет устройств поставщика 63-BGA (9x11)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TH58NYG2S3HBAI4