| Numero di parte | TH58NYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 63-BGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (9x11) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR | Dettagli |
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TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Dettagli |
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TH58NVG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V | Dettagli |
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TH58NVG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V | Dettagli |
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TH58NVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP | Dettagli |
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TH58NVG3S0HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP | Dettagli |
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