SFS1002GHMNG - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	SFS1002GHMNG
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	100V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	975mV @ 5A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	35ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	1µA @ 100V
Емкость @ Vr, F	70pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика	TO-263AB (D²PAK)
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SFS1001G MNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB	подробности
SFS1001GHMNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB	подробности
SFS1002G MNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB	подробности
SFS1002GHMNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB	подробности
SFS1003G MNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB	подробности
SFS1003GHMNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB	подробности
SFS1004G MNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB	подробности
SFS1004GHMNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB	подробности
SFS1005G MNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB	подробности
SFS1005GHMNG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB	подробности