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| Numero di parte | SFS1002GHMNG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SFS1001G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1001GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1002G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1002GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1003G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1003GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1004G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1004GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1005G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Dettagli |
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SFS1005GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Dettagli |
