STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B - STMicroelectronics

номер части
STG3P2M10N60B
производитель
STMicroelectronics
Краткое описание
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
STG3P2M10N60B Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4482 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B Подробное описание

номер части STG3P2M10N60B
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 19A
Мощность - макс. 56W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 10µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
вход Single Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SEMITOP®2
Пакет устройств поставщика SEMITOP®2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ STG3P2M10N60B