STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B - STMicroelectronics

Numéro d'article
STG3P2M10N60B
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4172 pcs
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STG3P2M10N60B Description détaillée

Numéro d'article STG3P2M10N60B
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 19A
Puissance - Max 56W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
Contribution Single Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SEMITOP®2
Package de périphérique fournisseur SEMITOP®2
Poids -
Pays d'origine -

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