SICRB101200TR Подробное описание
| номер части |
SICRB101200TR |
| Статус детали |
Active |
| Тип диода |
Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) |
1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) |
10A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если |
1.8V @ 10A |
| скорость |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) |
0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr |
100µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F |
640pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Пакет устройств поставщика |
D2PAK |
| Рабочая температура - Соединение |
-55°C ~ 175°C |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SICRB101200TR
