SICRB101200TR - SMC Diode Solutions

Artikelnummer	SICRB101200TR
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 10A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F	640pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SICRB101200TR	SMC Diode Solutions	DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	Einzelheiten
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