| номер части | GBU806TB |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 8A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 8A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 600V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-ESIP |
| Пакет устройств поставщика | GBU |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GBU10005 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBU | подробности |
 |
GBU10005-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBU | подробности |
 |
GBU10005-GBU1010 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | подробности |
|
GBU10005TB | SMC Diode Solutions | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | подробности |
|
GBU10005_1 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | подробности |
|
GBU1001 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBU | подробности |
 |
GBU1001 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | подробности |
|
GBU10010 | DIODES | 10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | подробности |
|
GBU1001HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | подробности |
|
GBU1001TB | SMC Diode Solutions | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU | подробности |
