S4KW8C-4P - Semtech Corporation

номер части	S4KW8C-4P
Статус детали	Active
Конфигурация диода	-
Тип диода	-
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	8000V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	8V @ 12A
скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	2µs
Текущий - обратный утечек @ Vr	4µA @ 8000V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	подробности
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	подробности
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	подробности
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	подробности
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	подробности
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	подробности
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	подробности
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	подробности
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	подробности
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	подробности