S4KW8C-4P - Semtech Corporation

Numero di parte	S4KW8C-4P
Stato parte	Active
Configurazione diodi	-
Tipo diodo	-
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	8000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	8V @ 12A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	4µA @ 8000V
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	Dettagli
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Dettagli
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Dettagli
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Dettagli
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Dettagli
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Dettagli
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	Dettagli
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Dettagli
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Dettagli
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Dettagli