RJK60S7DPK-M0#T0

RJK60S7DPK-M0#T0 - Renesas Electronics America

номер части
RJK60S7DPK-M0#T0
производитель
Renesas Electronics America
Краткое описание
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RJK60S7DPK-M0#T0 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
165 pcs
Справочная цена
USD 11.55/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RJK60S7DPK-M0#T0

RJK60S7DPK-M0#T0 Подробное описание

номер части RJK60S7DPK-M0#T0
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2300pF @ 25V
Vgs (Макс.) +30V, -20V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 227.2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-3PSG
Упаковка / чехол TO-3PSG
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RJK60S7DPK-M0#T0