RJK60S7DPK-M0#T0 - Renesas Electronics America

Número de pieza: RJK60S7DPK-M0#T0
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 165 pcs
Precio de referencia: USD 11.55/pcs
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Número de pieza	RJK60S7DPK-M0#T0
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 25V
Vgs (Max)	+30V, -20V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	227.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3PSG
Paquete / caja	TO-3PSG
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RJK60S7DPK-M0#T0	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG	Detalles
	RJK60S7DPP-E0#T2	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP	Detalles