R1WV6416RBG-5SI#B0 - Renesas Electronics America

номер части	R1WV6416RBG-5SI#B0
Статус детали	Last Time Buy
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM
Размер памяти	64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	55ns
Время доступа	55ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFBGA
Пакет устройств поставщика	48-TFBGA (8.5x11)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
R1WV6416RBG-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	подробности
R1WV6416RBG-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	подробности
R1WV6416RSA-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32MBIT 48TSOP	подробности
R1WV6416RSA-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED TSOP P	подробности
R1WV6416RSA-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32MBIT 48TSOP	подробности
R1WV6416RSD-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP	подробности
R1WV6416RSD-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP	подробности