| 부품 번호 | R1WV6416RBG-5SI#B0 |
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| 부품 상태 | Last Time Buy |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | SRAM |
| 과학 기술 | SRAM |
| 메모리 크기 | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| 클럭 주파수 | - |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 55ns |
| 액세스 시간 | 55ns |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 48-TFBGA (8.5x11) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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R1WV6416RBG-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | 세부 |
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R1WV6416RBG-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | 세부 |
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R1WV6416RSA-5SI#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | 세부 |
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R1WV6416RSA-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED TSOP P | 세부 |
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R1WV6416RSA-7SR#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | 세부 |
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R1WV6416RSD-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | 세부 |
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R1WV6416RSD-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | 세부 |
