NP100P04PDG-E1-AY - Renesas Electronics America

номер части	NP100P04PDG-E1-AY
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	320nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	15100pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NP100P04PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	подробности
NP100P04PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	подробности
NP100P06PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	подробности
NP100P06PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	подробности