NP100P04PDG-E1-AY - Renesas Electronics America

Artikelnummer	NP100P04PDG-E1-AY
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	320nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15100pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NP100P04PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	Einzelheiten
NP100P04PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	Einzelheiten
NP100P06PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	Einzelheiten
NP100P06PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	Einzelheiten