NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G - ON Semiconductor

номер части
NVD4809NHT4G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NVD4809NHT4G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3992 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G Подробное описание

номер части NVD4809NHT4G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44nC @ 11.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2155pF @ 12V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DPAK
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NVD4809NHT4G