NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NVD4809NHT4G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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3734 pcs
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NVD4809NHT4G Description détaillée

Numéro d'article NVD4809NHT4G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 11.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2155pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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