NVATS5A107PLZT4G - ON Semiconductor

номер части	NVATS5A107PLZT4G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	55A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	47nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2400pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	60W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	ATPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NVATS5A106PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A107PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A108PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A112PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A113PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A114PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A302PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности
NVATS5A304PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	подробности