NVATS5A113PLZT4G

NVATS5A113PLZT4G - ON Semiconductor

номер части
NVATS5A113PLZT4G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
MOSFET P-CH 30V DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NVATS5A113PLZT4G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
42090 pcs
Справочная цена
USD 0.6097/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NVATS5A113PLZT4G

NVATS5A113PLZT4G Подробное описание

номер части NVATS5A113PLZT4G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2400pF @ 20V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 29.5 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика ATPAK
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NVATS5A113PLZT4G