NTQS6463R2 - ON Semiconductor

номер части	NTQS6463R2
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	50nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	930mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Упаковка / чехол	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-