NTQS6463R2 - ON Semiconductor

Numéro d'article	NTQS6463R2
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSSOP
Paquet / cas	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-