NSV60601MZ4T1G - ON Semiconductor

номер части	NSV60601MZ4T1G
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	6A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	60V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 600mA, 6A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	120 @ 1A, 2V
Мощность - макс.	800mW
Частота - переход	100MHz
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-261-4, TO-261AA
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NSV60100DMTWTBG	ON Semiconductor	DUAL TRANSISTOR PNP	подробности
NSV60100DUW6T1G	ON Semiconductor	DUAL TRANSISTOR PNP	подробности
NSV60101DMR6T1G	ON Semiconductor	60V 1A DUAL NPN LOW VCE	подробности
NSV60101DMTWTBG	ON Semiconductor	TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN	подробности
NSV60200LT1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 60V 2A SOT23-3	подробности
NSV60201LT1G	ON Semiconductor	TRANS NPN 60V 2A SOT23-3	подробности
NSV60600MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 60V 6A SOT223-4	подробности
NSV60600MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS PNP 60V 6A SOT223-4	подробности
NSV60601MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4	подробности
NSV60601MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4	подробности